SUNX晶圓定位傳感器技術(shù)參數(shù)，松下選型樣本

SUNX晶圓定位傳感器技術(shù)參數(shù)，松下選型樣本

以往使用激光的激光式定位傳感器，激光會從加載口內(nèi)側(cè)穿過FOUP直射操作人員，危險。

M-DW1成功使用LED光源。確保操作人員安全。

M-DW1以反射光的位置來檢測，不管反射光量的多少都能檢測出玻璃晶圓。

氮化膜具有可吸收特定波長光的性質(zhì)，吸收的波長因氮化膜的厚度而不同。

因此，對于使用單波長激光的傳感器，可能會因光全被吸收而無法檢測。

而LED光源的光具有一定波長段，即使氮化膜晶圓也可準(zhǔn)確檢測。

實現(xiàn)0.5ms的高速反應(yīng)。兼顧高速反應(yīng)性和。

請確認(rèn)電源的波動，以免電源輸入過額定范圍。

使用市售的開關(guān)調(diào)節(jié)器時，請務(wù)必將電源的框架式接地(F.G.)端子接地。

在傳感器安裝部周圍使用作為干擾發(fā)生源的設(shè)備(開關(guān)調(diào)節(jié)器、變頻馬達(dá)等)時，請務(wù)必將設(shè)備的框架式接地(F.G.)端子接地。

延長電纜時，可通過截面積為0.15mm2以上的電纜將全長延長至10m。不過，為避免噪音，請盡量縮短配線。

請避免與高壓線和動力線并行配線，或使用同一配線管，否則會因電磁感應(yīng)而導(dǎo)致誤動作。

直流電源請務(wù)必使用絕緣變壓器。使用自動變壓器(自耦變壓器)時，有時會損壞本體和電源。

使用電源發(fā)生電涌時，請將發(fā)生源與電涌吸收器連接，以吸收電涌。

利用反射光量檢測時，反射光量和晶圓的邊緣形狀會影響檢測結(jié)果。

M-DW1的受光部使用2段受光元件，通過反射光位置而非反射光量進(jìn)行檢測。

因此，受晶圓厚度和反射光量的影響較小。

傳感器可以從正前方、右側(cè)、左側(cè)、下方四個方向引出電纜。

可根據(jù)傳感器的設(shè)置情況靈活調(diào)節(jié)。

尺寸為寬度80.6mm×厚度18.3mm×進(jìn)深50mm，質(zhì)量約為75g的小巧、輕盈型。

D:電源逆接保護(hù)用二極管

ZD1、ZD2:電涌電壓吸收用齊納二極管

Tr1:NPN輸出晶體管

Tr2:PNP輸出晶體管

請勿將本產(chǎn)品作為BZ人身安全的檢測裝置使用。

欲進(jìn)行以BZ人身安全為目的的檢測，請使用符合OSHA、ANSI以及IEC等各國有關(guān)人身安全BZ的法律和標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。

安裝傳感器時，請使晶圓端面與傳感器檢測面之間的距離為45mm，并且可12.5°傾斜檢測晶圓。

安裝時，使用M4(長度：16mm)螺絲，緊固扭矩控制在1.2N?m以下。并且，晶圓的位置偏差(突出或凹陷等)會導(dǎo)致檢測距離變

化，但是如果誤差在5mm范圍內(nèi)，也可實現(xiàn)穩(wěn)定檢測。

(注1)：無的測量條件為使用環(huán)境溫度＝+20℃。

(注2)：檢測8英寸以下的晶圓時，可能會因晶圓間距、定位邊或表面的狀態(tài)等而影響檢測。

(注3)：對于經(jīng)研磨后厚度變薄的晶圓，如果其端面呈刀刃狀，可能會因光線不能從檢測面向受光方向反射而難以檢測。

(注4)：晶圓旋轉(zhuǎn)時，定位邊的較大跳動角度約為±20°。

(注5)：斜向插入8英寸晶圓時的附近的間距。檢測帶定位邊的晶圓時，對于避開定位邊的檢測位置，晶圓間距變得更窄，檢測信號無法分解，變?yōu)檫B續(xù)的寬幅信號。

(注1):

晶圓的中心軸與傳感器軸在一直線上(0°)將無法檢測。

安裝傳感器時，必須將傳感器與晶圓保持相對傾斜。

請務(wù)必在切斷電源的狀態(tài)下進(jìn)行配線作業(yè)。

配線錯誤會導(dǎo)致故障。

SUNX晶圓定位傳感器技術(shù)參數(shù)，松下選型樣本