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SUNX微型激光位移傳感器,CMOS型

SUNX微型激光位移傳感器,CMOS型

  • 所屬分類:松下SUNX
  • 瀏覽次數(shù):
  • 發(fā)布日期:2018-05-23
  • 產(chǎn)品概述
  • 性能特點
  • 技術(shù)參數(shù)

  SUNX微型激光位移傳感器,CMOS型

===.png

  ·外加電壓:30VDC以下(控制輸出和0V之間)

  ·剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)

  設(shè)計出內(nèi)部設(shè)置反射鏡的新型光學系

  較大輸出:0.2mW、投光峰波長度:655nm

  設(shè)計出內(nèi)部安裝有鏡面的新型光學系統(tǒng)

  受光元件CMOS圖像傳感器  控制輸出

  采用位移傳感器所使用的CMOS影像傳感器,以及位移傳感器

  W20mm×H44mm×D25mm  配備模擬輸出

  ·較大源電流:50mA  ·外加電壓:30V DC以下(控制輸出和+V之間)

  消耗電流40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)

  精度所產(chǎn)生的影響。

  測量?! ?mm/100mm的。

  ·輸出范圍:0V~5V(正常時);5.2V(報警時)

  電源電壓12V DC~24V DC±10% 脈動P-P10%

  少外殼變形和溫度等不穩(wěn)定因素對測量

  ※截止到2014年3月,根據(jù)本公司調(diào)查

  長,機身形狀也會變大。HG-C系列

  穩(wěn)定檢測10μm的CMOS激光傳感器

  統(tǒng),并縮短進深方向的尺寸,同時又

  SUNX微型激光位移傳感器,CMOS型

方形頂端檢測接近傳感器.jpg

  ·較大流入電流:50mA  ·漏電流:0.1mA以下

  (CMOS)之間的光路長度,從而可獲

  光源紅色半導體激光 2級(JIS/IEC/GB)、Ⅱ級(FDA)(注2)

  可實現(xiàn)與變位傳感器相媲美的

  ·漏電流:0.1mA以下  短路保護配備(自動復(fù)位式)  模擬輸出

  輸出動作入光時ON/非入光時ON 可切換

  是另一方面,傳感器的進深方向會變

  形狀達到業(yè)內(nèi)小型級別 ※進深:25mm業(yè)內(nèi)較短

  〈PNP輸出型〉  PNP開路集電極晶體管

  〈NPN輸出型〉  NPN開路集電極晶體管

  采用同時兼顧輕量與強度的鋁鑄外殼。

  ·剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)

  得精度更高、更穩(wěn)定的測量值,但

  直線性±0.1%F.S. ±0.2%F.S. ±0.3%F.S.

  光束直徑約φ50μm 約φ70μm 約φ120μm 約φ300μm 約φ500μm 約φ150μm

  CMOS影像傳感器&配備獨特的算法

微型激光位移傳感器.jpg

  SUNX微型激光位移傳感器,CMOS型

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